元TSMC、IBM幹部、ファーウェイはさらに高度な5nmチップを製造できると語る 

元TSMC、IBM幹部、ファーウェイはさらに高度な5nmチップを製造できると語る 

これは投資アドバイスではありません。著者は、言及されているどの銘柄にもポジションを持っていません。

今年初め、中国のテクノロジー企業ファーウェイが、米国の制裁にもかかわらず自社のデバイスに先進的な半導体を導入できたことでメディアに波紋を巻き起こした後、台湾積体電路製造会社(TSMC)の元幹部は、ファーウェイは今後も現在自由に使用できるマシンでは、さらに高度なチップを使用できます。ファーウェイは自社チップを製造していない。これは、ほぼすべての家電企業が、多額の資本支出が必要なため、チップの製造をTSMCなどの受託チップメーカーに依存しているためである。

TSMCからのチップ調達が停止された後、ファーウェイと中国の大手チップメーカーであるセミコンダクター・マニュファクチャリング・インターナショナル・コーポレーション(SMIC)は提携し、米国の規制にもかかわらず先進チップを市場に投入しようとしている。

SMICは既存の機械で5ナノメートルチップを製造できるはず チップエグゼクティブ

ファーウェイは9月、最新スマートフォンの1つであるMate 60の分解結果で、同社のプロセッサが7ナノメートルのチップノードで構築されていることが明らかになり、話題となった。ファーウェイはTSMCからチップを調達できないだけでなく、その主要サプライヤーであるSMICもオランダ企業ASMLから最先端の極端紫外線(EUV)マシンを購入することを制限されているため、ほとんどのメディア観察者にとってこれは驚きだった。

チップ分野の一般的な理解では、7ナノメートル以下のチップを製造するにはEUV装置が絶対に必要であると想定されていますが、現実は異なります。TSMCなどの半導体製造会社は、EUVの前身である深紫外(DUV)装置を使用して製造できる。ただし、EUV を使用するとメーカーはより小さな回路をより迅速にプリントアウトでき、エラー率も低減できるため、通常は EUV が好まれます。

現在、元TSMC副社長のリン・バーンジェン氏も、台湾の国立清華大学でのインタビューでの発言によると、この評価に同意している。リン博士は TSMC で働き始め、同社の研究開発担当副社長に就任しました。台湾の会社に入社する前は、IBM で数十年間働いていました。

リン博士は、液浸リソグラフィーの研究により、チップ分野で最も尊敬されている関係者の 1 人です。彼は 60 件以上の特許を取得しており、TSMC と IBM の 2 つの会社で勤務しながら、それらから十数もの賞を受賞しています。ASML の機械は液浸リソグラフィーに大きく依存しており、複数のミラーを使用して水を通して光の方向を変え、このプロセスを使用してシリコン ウェーハ上に鮮明なパターンを作成します。

TSMCとIBMの元幹部によると、SMICはすでに保有しているチップ製造機械を利用して、さらに特徴サイズを縮小し、5ナノメートルに移行できるはずだという。米国はSMICに対するEUV装置の購入を制裁しているが、メディアで大きく報道されているにもかかわらず、DUV装置に対する制裁はまだ発動されていない。

リン博士は、SMICと中国のチップ製造の可能性について非常に率直に述べ、米国が中国の半導体技術の進歩を完全に阻止することはまったく「不可能」だと付け加えた。商務省が半導体製造に関してSMICと中国を制裁する決定を下した主な懸念には、先端製品が中国軍に使用されるリスクが含まれる。ワシントン政府は、同じ前提に基づいたNVIDIAの高度なAI製品にも制裁を課した。

TSMC の 2 世代前のチップ ノードである N7 は、高度なチップに EUV テクノロジーを初めて使用しました。N7 などのノードの分類では、同じブランドの下で複数のテクノロジーがひとまとめにされることがよくあります。たとえば、7 ナノメートルは 7 ナノメートル程度の小さいフィーチャ サイズを持つチップを表すために使用される場合がありますが、より広範な N7 分類には 6nm などのテクノロジーが含まれます。TSMC の標準 7nm 製品は EUV を使用していませんでしたが、先進的な 7nm+ ノードは初めて紫外光に依存しました。

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