OnePlus Ace 2 熱放散 – 内部と外部の両方が完全にアップグレードされました

OnePlus Ace 2 の熱放散

OnePlus は、最新のスマートフォンである OnePlus Ace 2 を 2 月 7 日にリリースする予定です。このスマートフォンは、これまでの OnePlus 電話で見られた最高のパフォーマンスで、熱放散の新しいベンチマークを設定すると言われています。

同社は、OnePlus Ace 2 放熱システムに、新たに開発された技術である 6355mm² 相変化グラフェンを搭載し、優れた放熱を約束します。

新世代の高性能グラファイトの熱伝導率は、前世代のグラファイトと比較して 92% 増加し、携帯電話の熱性能は大幅に改善されました。この電話機には、5177m² の面積と通常の VC よりも 100% 優れた熱伝導率を持つ 8 チャネルの完全貫通型 VC も搭載されます。

さらに、電話機は、アップグレードされた冷却アクセサリである 27W 氷点冷却バック クリップと組み合わせることができます。この電話は、フル機能の Snapdragon 8+ Gen1 プロセッサとプロフェッショナル レンダリングの補完的なフレーム チップを備えており、強力なパフォーマンスを発揮するように設定されています。また、18GB + 512GB のストレージと高周波調光および赤外線テクノロジーも搭載されます。

Snapdragon 8+ Gen1 チップはサポートされていませんが、OnePlus Ace 2 は引き続き LPDDR5X メモリを使用します。電話のハードウェア構成はバランスが取れていると言われ、ユーザーに優れたゲーム体験を提供する態勢が整っています.

結論として、OnePlus Ace 2 は、優れた熱放散とバランスの取れたハードウェア構成を提供するパフォーマンス指向のスマートフォンになることを約束します. 高周波調光、赤外線技術、大容量のストレージ容量を備えたこの電話は、消費者の間でヒットするように設定されています。OnePlus 11R のシステムは?

ソース1、ソース2